光刻機(jī)，被譽(yù)為芯片產(chǎn)業(yè)的皇冠明珠，曾經(jīng)是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵技術(shù)，它被視為比還稀缺的存在，制造難度極高，工藝復(fù)雜，涉及多國頂尖技術(shù)的集成。

　　然而，在前幾天項(xiàng)立剛表示，這顆曾經(jīng)被人垂青的明珠如今卻正在逐漸變成中國自主掌控的玻璃珠，標(biāo)志著中國芯片產(chǎn)業(yè)了新的起點(diǎn)。

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　　早在上世紀(jì)80年代，中國就已經(jīng)開始了自主研制光刻機(jī)的嘗試，然而，由于當(dāng)時基礎(chǔ)薄弱、技術(shù)實(shí)力有限，加之缺乏關(guān)鍵零部件供給，這一努力最終不得不放棄。

　　主要基于光刻機(jī)是制造芯片不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，代表了集成電制造的最高技術(shù)水平。

　　掌握了光刻機(jī)，就等于掌握了芯片制造的命門，直接關(guān)系到一個國家在電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景。

　　由于芯片產(chǎn)業(yè)被認(rèn)為是支撐國家綜合國力的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，擁有先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)和制造能力意味著在國防玻璃珠、航空航天、人工智能等領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢。

　　國家出于自身戰(zhàn)略利益的需求，不希望中國在芯片領(lǐng)域取得重大突破，因?yàn)橹袊菄业闹饕?jīng)濟(jì)競爭對手，中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展有利于國家在這一領(lǐng)域的技術(shù)壟斷地位。

　　另一方面，一些國家擔(dān)心，如果中國掌握了先進(jìn)芯片制造技術(shù)，可能會將其用于軍事等領(lǐng)域，從而到國家的，因此，對中國實(shí)施技術(shù)成為一種防范措施。

　　最后，光刻機(jī)技術(shù)高度復(fù)雜精密，很多關(guān)鍵零部件和技術(shù)都掌握在國家手中，出于知識產(chǎn)權(quán)的考慮，國家不愿意將這些核心技術(shù)轉(zhuǎn)讓給中國。

　　直到近年來，隨著國家持續(xù)大力投入和科研實(shí)力的不斷增強(qiáng)，中國才在這一領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。

　　經(jīng)過20多年的自主研發(fā)，上海微電子在ArF(193納米)和KrF(248納米)光刻機(jī)領(lǐng)域達(dá)到了國際先進(jìn)水平。

　　其ArF和KrF光刻機(jī)已實(shí)現(xiàn)批量供貨，成為華為海思、紫光展銳等龍頭芯片企業(yè)的重要供應(yīng)商。

　　華卓精科則在EUV(13.5納米)極紫外光刻機(jī)領(lǐng)域取得突破，EUV光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的光刻設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)5納米及以下的超精細(xì)制程。

　　而華為憑借這一技術(shù)實(shí)現(xiàn)了7納米芯片的量產(chǎn)，結(jié)束了長期依賴進(jìn)口的被動局面。

　　中微半導(dǎo)體則專注于I-line(365納米)光刻機(jī)的研發(fā)，經(jīng)過十幾年的努力，終于實(shí)現(xiàn)了國產(chǎn)替代，只不過距離真正的I-line光刻機(jī)還有有些差距。

　　與此同時，中微半導(dǎo)體還在加緊推進(jìn)14納米技術(shù)的研發(fā)，有望在未來兩到三年內(nèi)投產(chǎn)。

　　除上述三家龍頭企業(yè)外，國內(nèi)還涌現(xiàn)出一批技術(shù)實(shí)力不俗的新興公司，如中科精華、常州新威半導(dǎo)體、納芯科技等，分別在ArF、KrF和EUV等不同技術(shù)線上取得進(jìn)展。

　　可以說，中國自主研發(fā)的光刻機(jī)已在很多領(lǐng)域取得了重要突破，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，在ArF和KrF光刻機(jī)領(lǐng)域，國產(chǎn)化率已經(jīng)很高了。

　　在28納米及以上制程的I-line光刻機(jī)上，國產(chǎn)替代已初見成效;而在14納米及以下先進(jìn)制程，多家企業(yè)的技術(shù)線圖已漸趨清晰。

　　然而，與國際先進(jìn)水平相比，中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)仍存在一定差距，最突出的短板在于EUV光刻機(jī)，該技術(shù)目前仍被荷蘭ASML公司完全壟斷。

　　為實(shí)現(xiàn)徹底的自主可控，中國制定了明確的發(fā)展線納米制程工藝的國產(chǎn)化，用國產(chǎn)光刻機(jī)滿足80%以上國內(nèi)芯片企業(yè)的需求。

　　3年之內(nèi)，則將力爭打破EUV光刻機(jī)的技術(shù)壟斷，成為全球第一家掌握EUV量產(chǎn)技術(shù)的光刻機(jī)生產(chǎn)商。

　　科研人員咬牙苦干，通過自主創(chuàng)新，逐步掌握了光刻機(jī)所需的關(guān)鍵技術(shù)，不斷提高本土零部件的自制能力。

　　中國在光刻機(jī)領(lǐng)域取得的成就，只是自主創(chuàng)新征程中的一個里程碑，未來，中國將繼續(xù)瞄準(zhǔn)EUV光刻機(jī)等先進(jìn)技術(shù)。

　　目前，全球芯片制程發(fā)展的最新方向就是EUV，它利用極紫外線短波長描繪芯片圖紋，可在同樣尺寸上放置更多電元件，大幅提高芯片的集成度。

　　X射線光刻機(jī)利用波長更短的X射線納米甚至更精細(xì)的芯片制程，有望成為EUV的繼任者。

　　當(dāng)然，X射線光刻機(jī)在制造和應(yīng)用上也面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，比如掩模板的制造工藝異常復(fù)雜且昂貴，X射線的控制和安全防護(hù)也存在一定困難。

　　不過，這些困難并不能中國人的決心，事實(shí)上，多家單位已經(jīng)在X射線光刻機(jī)領(lǐng)域展開了前瞻性研究，取得了初步進(jìn)展，為未來突破奠定基礎(chǔ)。

　　從光刻機(jī)的發(fā)展歷程可以看出，中國突破技術(shù)的決心是堅(jiān)定的，自主創(chuàng)新的內(nèi)生動力也是充沛的。

　　回顧中國在光刻機(jī)領(lǐng)域的發(fā)展歷程，其中的曲折和艱辛可以說是整個中國科技自立自強(qiáng)進(jìn)程的一個縮影。

　　從早期的自主研制與中途放棄，到后來依賴進(jìn)口受制于人，再到如今重新自主可控取得突破，中國芯片產(chǎn)業(yè)走過了一條漫長而曲折的道。

　　當(dāng)前，即便已取得重大突破，但中國芯片產(chǎn)業(yè)的整體自主水平仍有待提高，本土化程度也有進(jìn)一步提升的空間。

　　無論面臨何種困難和，中國必將以自主創(chuàng)新的力量突破重圍，譜寫規(guī)則的嶄新篇章，因?yàn)?，對于充滿雄心壯志的中國來說，沒有什么是真正無法突破的!

　　觀察者網(wǎng)——2024-06-05《英特爾CEO：如果美出口管制太嚴(yán)，中國就必須生產(chǎn)自己的芯片》